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Transphorm和伟诠电子合作发布整合式GaN系统级封装

来源: | 发布日期:2023-03-06
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        WT7162RHUG24A是一种集成电路,设计用于为智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他智慧以上设备充电的45至100瓦USB-C PD电源配接器。峰值功率效率超过93%。元件样品将在2023年第二季推出。

       除了向市场推新之外,此项公告还象徵着伟诠电子取得另一项重大成就。现在新推出的GaN SiP展示了伟诠电子对交流转直流电源市场的承诺。该公司使用Transphorm的SuperGaN®技术,提供了一个完整的系统解决方案。对Transphorm来说,这也是一次良好的证明,确认其GaN组件的界面简易性和卓越效能。

       Transphorm将在2023年应用电力电子会议(APEC)上首次展示伟诠电子SiP,摊位号码为853。两家公司还将在会议期间发布有关WTDB_008 65W USB PD电源配接器评估板的详细资讯。
       伟诠电子总经理林崇焘(Tony Lin)表示:“WT7162RHUG24A是业界首次公开发布采用Transphorm GaN的SiP。它让制造商可以开发出成本更低的系统解决方案,因为此解决方案需要的元器件更少,而且可以使用更小的PCB,还具有其他优点,还能减少系统开发时间。我们正在高效地帮助配接器制造商消除设计障碍。值得注意的是,凭借此产品,伟诠电子可以进入一个新的市场。这是我们的PWM控制器有史以来的首款SiP,证明了我们对支持大量成长领域的承诺。而且,透过与GaN FET的整合,我们已经提高了效能输出水准。这是伟诠电子、Transphorm和我们共同客户的一次共赢。”
       Transphorm总裁兼运营长Primit Parikh表示:“配接器快充市场是目前GaN应用的一个快速成长领域。我们正在扩大市场版图,并继续创新,最近推出的这款GaN SiP将使我们的GaN组件更容易使用。我们很高兴能将业界领先的SuperGaN平台与伟诠电子的创新型配接器电源控制器技术结合起来。伟诠电子提供了一个领先的功率转换平台,可以为配接器/快速充电器客户打造一个简单容易用的解决方案,两家公司可以利用这个平台来加速赢得这个市场。”
WT7162RHUG24A的规格和特点
       新推出的SiP整合了伟诠电子的WT7162RHSG08多模式反驰式PWM控制器和Transphorm的240毫欧650伏SuperGaN® FET.。此表面黏着组件采用24引脚8x8QFN封装,能减少印刷电路板尺寸。
其他主要规格包括:
●峰值功率效率:> 93%
●功率密度:26 W/in3
●宽输出电压操作:USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V
●最大频率:180 kHz

●目标拓扑结构:QR反驰模式/谷值开关多模操作

主要特点包括:

特 点
优 势
能调节的GaN FET开启/关闭速度
增加EMI测试和解决方案操作的灵活性
不需要外部VDD线性找压器电路
减少组件数量
减少封装寄生效应(电感、电阻器、电容器)
最大限上提高晶片性能
直接从交流主电压的照片线/中性线拉出来700V超高压启动电流
减少元件数量
尽管增加了PWM晶片,但仍适合用8x8 QFN封装
支持小外形/小系统封装

目标应用和供货信息

       WT7162RHUG24A SiP适合用於高效能、小体积USB-C电源配接器,能用於行动/倒缝网以上设备,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、耳机、没有人机、扬声器、照相机等。



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